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预计明年DRAM持续稳定,NAND大幅度下跌

  对于明年的内存市场,包括南亚科、力晶、华邦电和威刚等,一致认为明年DRAM将保持相对稳定,但由于供应增加,存储闪存(NAND Flash)的相对压力将增加。

  南亚分公司总经理李培瑛表示,从供需方面分析DRAM市场状况,整体需求,除了个人电脑受英特尔处理器缺货变数影响外,目前服务器,手机市场是非常健康的,消费电子产品的需求也不错。

  

预计明年DRAM持续稳定,NAND大幅度下跌


  李培瑛强调,国际形势将是本赛季乃至明年的最大变数。然而,DRAM供应商方面合理控制产量,并且需求前景并不悲观。预计明年价格不会大幅下跌,而且应该呈现缓慢的下行趋势。

  威刚董事长陈立白则表示,由于明年主要芯片制造商的产量有限,DRAM将继续保持稳定; NAND闪存并未因主要军备竞赛而关闭。预计价格将下降不低于今年,NAND闪存上游制造商预计将在明年。超过一半的人没有的盈利。

  华邦总经理詹东一也强调,内存应用的扩展,随着边缘计算需求的增加,加上AI(人工智能)和5G,使更多产品更加智能化,为内存产业增添活力。


  然而,十铨科技仍然保守。它认为国际变量将增加,DRAM供应将增加,而NAND Flash将增加更多。据估计,DRAM将下降至少30%,明年NAND闪存将下降更多。


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