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这款基于电阻的新型存储器,被吹捧为下一个重大发明

  NIST-Purdue University大学的一个联合团队利用一种可以形成原子薄片的材料,制造出一种基于电阻的新型存储器,这种存储器被吹捧为下一个重大发明。

  ReRAM的这种风格可以用纳秒写入,并且在没有电源的情况下保留该存储器。内存似乎是通过一种与以前的电阻ram技术完全不同的机制来工作的。它的缺点是没有人知道它是如何工作的。

  

这款基于电阻的新型存储器,被吹捧为下一个重大发明


  NIST-Purdue大学一直在使用金属二硫代化合物。这些材料形成类似石墨烯的六角形原子排列的单分子片。它们不是扁平的平面分子,而是使用更为复杂的原子排列,其中一些原子略高于或低于穿过薄片中心的平面。

  到目前为止,他们已经使用二硫化钼(MoS2),但也有可能制造混合材料,钼和钨都在同一块材料中。

  原子在纸上的排列方式也有一定的灵活性。而且,由于固体可以通过多层薄片形成,因此相邻薄片的排列方式具有灵活性。这些复杂性使得这些材料在保持固态的同时可以采用多相,并具有不同的导电性能。

  为了构建一个重选装置,研究人员使用了一种二碲化钼基体和另一层电极。他们没有使用单一的MoTe2薄片,而是使用了5到25纳米厚的材料。尽管很简单,但这是可行的。一个不到10纳秒的高压脉冲就足以将它们从高电阻状态转换到电压下降时电流流动速度快50倍的状态。第二个更高电压的脉冲可以将其移回来,所需的精确电压由所使用的MoTe2的厚度决定。

  然而,这些研究人员也无法解释为什么会发生这种情况。一种可能是电极之间形成了金属丝。研究人员通过将电极改为石墨烯,并证明该装置仍然有效,从而消除了这种解释。研究人员设置了设备的状态,移除MoTe2层,然后对其进行电子显微镜观察。

  研究人员怀疑,这通常是一个暂时的过渡状态,在不同阶段之间,最终以某种方式在这些情况下稳定下来。不知为何,电场似乎触发了相变及其伴随的电导率的变化。


  当然,这种技术要在电脑里出现还需要一千年的时间,到那时就会有人知道它是如何工作的了。


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