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英特尔STT-MRAM技术已准备好进行批量生产

  近日在英国国际固态电路会议上,英特尔透露可旋转传感器扭矩磁阻RAM(STT-MRAM)技术已准备好进行批量生产。据悉,英特尔将使用其旧的22FFL FinFET工艺来制造存储芯片。

  英特尔STT-MRAM技术已准备好进行批量生产


  由于其高耐用性和强保留性,STT-MRAM可以成为嵌入式SRAM和NAND闪存技术未来的替代品。引用英特尔工程师的话则是,22纳米嵌入式MRAM技术的收益率高达99.9%。MRAM的简单设计可实现高产率,且几乎没有出现错误和缺陷的空间。该技术还承诺写入耐久性超过1E06(100万)次,读取干扰误差率超过1E12(万亿)次。但是目前,英特尔似乎正准备生产容量仅为7Mb的STT-MRAM芯片,因此在我们看到它正式用于存储产品之前可能需要一段时间。


  MRAM不是一项新技术,但随着工艺节点缩小,这项技术开始变得更为实用,制造商可以制造一些与其他现有存储器技术相比更具竞争力的可用高密度存储器芯片。MRAM更高的写入和读取速度,几乎无限的耐久性,以及在高温下存储数据多年的能力,和类似的“混合”技术可作为计算机存储器,被认为是业界的标杆。该技术一旦成为主流,就能彻底改变计算机的工作方式。


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