三星宣布完成5nm EUV工艺开发，效率提升高达25%，功耗降低20%

　　三星作为斗士，是不会轻易在没有战斗的情况下放弃半导体市场的宝座。该公司今天宣布，它已完成5nm FinFET工艺的开发，并为客户的样品做好准备，这一项新技术将为三星的战局扭转提供莫大的支持，尽管DRAM市场仍然处于下滑状态。

　　普遍的共识是，三星今年将把半导体市场的领导权交给英特尔。IC Insights 在3月预测了这一点，Gartner 本月早些时候同意其研究副总裁言论，称该公司的“领先地位实际上建在沙滩上”。这个问题似乎并不在于三星本身，尽管内存价格快速下跌，但由于需求尚未满足供应，DRAM市场仍在苦苦挣扎。

　　三星通过定期宣布新技术来回应对DRAM市场的担忧。

    最近几个月，我们一起来看看三星都做了哪些事情：

　　1、第一个LPDDR5 SDRAM模块

　　2、第一款嵌入式磁随机存取存储器(eMRAM)产品

　　3、第一款符合HBM2E标准的产品

　　4、第一代第三代10nm级(1z-nm)8Gb DDR4 DRAM

　　5、在Hwaesong的一家新工厂投资翻了一番

　　现在，该公司已将5纳米EUV流程添加到该列表中。三星在声明中表示其完成的5nm EUV工艺，与现有的7nm工艺技术相比，“可提供高达25%的逻辑区域效率提升，功耗降低20%或性能提高10%，从而使我们能够拥有更多创新的标准单元架构”。

　　同时，三星还表示，它可以重复使用7nm工艺开发的大部分知识产权。这应该允许其现有客户“大大受益于降低的迁移成本，预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的5nm产品开发。” 换句话说，三星希望这种新工艺技术的过渡尽可能无缝，以便快速发展。

　　这足以阻止DRAM市场收入下降20%，Gartner预测三星将在今年受到影响，但目前的发展态势来看，一切皆存在变数。但正如我们之前所指出的那样，该公司正在奠定基础，以便它能够在DRAM市场复苏后与DRAM市场一起成长，而不是满足于自己的成就，利用新的增长产品将权力逐步重新夺回。

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